·溅射功率：DC/RF 0-800W

·加热范围：室温-1000℃

·气体流量：Ar、He、D₂等，（精度0.1sccm）

·真空度：＜5×10⁻⁵Pa

·靶材：直径50~65mm，厚度≤10mm，成分由实验自行定制

·样品尺寸要求：尺寸规格需适配系统基片台尺寸，厚度需控制在0.2-10mm之间

·样品制备要求：基底提前抛光，表面需无明显划痕、油污、氧化层及粉尘；若为金属/半导体基片，需提前进行酸洗或等离子清洗预处理。

·多基片批量镀膜：配备多工位旋转基片台，可实现单批次4-24片（依规格而定）样品同时镀膜