主要用于材料科学、化学、生物学及半导体等领域，可在二维和三维微纳米级尺度下对材料进行快速准确的形貌观察、晶体结构分析等。以下是其能力卡片介绍：

分辨率：信息分辨率≤0.12nm，STEM 分辨率≤0.16nm，可实现原子级分辨率成像，能清晰观察材料微观结构。

电子枪：采用高亮度 X - FEG 或超高亮度冷场发射枪（X - CFEG），200kV 时亮度可达≥1.8×10⁹A/cm²/sr，提供高强度电子束，保证成像质量。

加速电压：加速电压范围为 20kV - 200kV，且连续可调，可根据不同样品和实验需求灵活设置。常用200kv。

能谱分析：配备四探头 Super - X EDS 能谱仪，4 个 SDD 对称、无窗设计，有效探测器面积达 120mm²，可精准检测元素分布（Be - U），辅助材料成分分析。

成像模式：可同时采集明场（BF）、环形明场（ABF）、环形暗场（ADF）和大角度环形暗场（HAADF）4 种来自不同角度的电子信号图像，提供丰富的样品信息。

样品台参数：样品倾斜角度 X/Y 为 ±30°，样品移动范围 X、Y 方向为 ±1mm，最小移动步长 4nm，Z 方向为 ±0.375mm，最小移动步长 36nm，便于对样品不同部位进行观察。

自动化功能：内置智能软件，如 Align Genie 自动化软件等，可辅助自动倾转带轴、优化实验参数，减轻操作员负担，提高实验效率。

相机配置：配备 4096×4096 像素及 14µm×14µm 像素尺寸的相机，可采集大面积图像，并通过数字放大获得高放大倍率图像。