·设备型号：3MV 串列加速器

·高能离子束：P, 3He, 4He, C, Si, Cu等

·低能离子束：Ar, D, He等

·能量范围： 高能(0.3~3)×(电荷数+1) MeV

低能50 eV ~18 keV

·高能束流：1×10 (14~16) m-2s-1

·低能束流：(0.1~10)×1020 m-2s-1

·真空度：1.0×10-3~1.0×10-5Pa

·束斑直径：高能2-10mm，低能1-10mm

·样品尺寸要求：样品直径≤25 mm样品厚度≤5 mm

·样品制备要求：样品表面清洁、无油污和粉尘等污染物