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原位加热EBSD
有芯片加热和原位台加热两种测试方式可选，芯片加热FIB制样，测试温度为200-1000℃；原位台加热常规EBSD样品即可，测试温度200-500℃。可在不同温度点原位表征材料晶粒取向和晶粒尺寸的变化。
服务周期：
一周左右
预约次数：
11
当现场/视频机时紧张时，请选择委托测试(无法远程)，委托测试可保证测试时效性
委托测试
测试须知

1. 芯片加热加热温度范围为200-1000℃；

2. 芯片加热受制样方式所限（FIB制样），实际测试样品尺寸不超过20 μm*20 μm;

3. 芯片加热费用已包含测试费用和制样费用，由于制样方式特殊，为保证测试成功率须我司FIB制样；

4. 芯片加热加热速率5-50 ℃/min，到达温度点后保温时间不超过10 min，停留温度不超过5个温度点，若需其他升温或者保温制度，请联系项目经理进行备注；

5. 原位加热台加热温度范围为200-500℃，高于500℃由于热辐射干扰严重，解析率较低；

6. 原位加热台加热使用常规EBSD样品进行测试，加热样品尺寸可达8mm*8mm

测试案例
某耐热铜合金加热过程晶粒取向以及尺寸的变化过程
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